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意(yi)法半導體新推出(chu)的SLLIMM?-nano智(zhi)能功(gong)率(lv)模塊(IPM)引入新的封(feng)裝(zhuang)類型，并集成更多元器件，加快300W以下低(di)功(gong)率(lv)電機驅動器研發，簡(jian)化組(zu)裝(zhuang)過程。

3A和(he)5A 模塊內置當(dang)前(qian)*********的600V超結(jie)MOSFET，最大限度提升空(kong)氣壓縮機、風扇、泵等設(she)備的能效。各種直(zhi)列引腳(jiao)或Z形引腳(jiao)封裝(zhuang)有助于優化空(kong)間占用率，確保(bao)所(suo)需(xu)的引腳(jiao)間距。內部(bu)開孔選項讓(rang)低價(jia)散熱器的安(an)裝(zhuang)更容易。此外，發射極開路(lu)(lu)輸出分開設(she)計可簡化PCB板單(dan)路(lu)(lu)或三(san)路(lu)(lu)Shunt (分流電阻)電流監(jian)視走線。

每個(ge)IPM模塊(kuai)都包(bao)含由(you)六(liu)支MOSFET組成的(de)(de)(de)(de)三相半(ban)橋(qiao)和一(yi)個(ge)高壓(ya)柵驅(qu)動芯(xin)片。新增功能有(you)助于(yu)(yu)簡化(hua)保(bao)護(hu)電(dian)路(lu)和防(fang)錯電(dian)路(lu)設(she)計，包(bao)括一(yi)個(ge)用(yong)(yong)于(yu)(yu)檢測電(dian)流的(de)(de)(de)(de)未使用(yong)(yong)的(de)(de)(de)(de)運放、用(yong)(yong)于(yu)(yu)高速錯誤保(bao)護(hu)電(dian)路(lu)的(de)(de)(de)(de)比較器和用(yong)(yong)于(yu)(yu)監視溫(wen)度(du)的(de)(de)(de)(de)可(ke)選的(de)(de)(de)(de)NTC (負溫(wen)度(du)系數)熱敏電(dian)阻，還集成一(yi)個(ge)自舉二極管，以降(jiang)低物(wu)料清(qing)單(dan)(BOM)成本，簡化(hua)電(dian)路(lu)板(ban)布(bu)局(ju)設(she)計。智(zhi)能關(guan)斷電(dian)路(lu)可(ke)保(bao)護(hu)功率(lv)開關(guan)管，欠壓(ya)鎖(suo)保(bao)護(hu)(UVLO)預防(fang)低Vcc或(huo)Vboot電(dian)壓(ya)引(yin)起的(de)(de)(de)(de)功能失效。

超結MOSFET在(zai)25°C時通態(tai)(tai)電(dian)阻只有1.0?，最大 1.6? ，低電(dian)容和低柵電(dian)荷(he)可(ke)最大限度降低通態(tai)(tai)損(sun)耗(hao)和開關損(sun)耗(hao)，從而提升20kHz以(yi)(yi)下硬開關電(dian)路的能效，包(bao)括(kuo)各種工業電(dian)機驅(qu)動(dong)器(qi)，準許低功率應用(yong)無需使用(yong)散熱器(qi)。此外，優化的開關di/dt和dV/dt上升速率確保EMI干擾處于一(yi)個較低的級別，可(ke)以(yi)(yi)進一(yi)步簡(jian)化電(dian)路的設計布(bu)局。

新模塊的(de)最高額定(ding)結溫是150°C，取得了(le)UL 1557認證，電絕緣級別高達(da)1500Vrms/min。